000 01923nam a2200361 c 4500
001 vtls000511618
003 RU-ToGU
005 20210910131731.0
008 150902s1961 ru a f bm 000 0 rus d
035 _ato000511618
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
080 _a537.311.322:537.212(043.3)
080 _a621.382.3:537.212(043.3)
100 1 _aРябинкин, Юрий Сергеевич
_9429767
245 1 0 _aЭлектрическое поле в полупроводниках с переходами по типу проводимости
_bдиссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
_cЮ. С. Рябинкин ; науч. рук. Э. И. Адирович ; Том. политехн. ин-т им. С. М. Кирова
260 _aТомск
_b[б. и.]
_c1961
300 _a[2], 177, [1] л.
_bрис.
504 _aБиблиогр.: л. 173-178
653 _aдиссертации
653 _aтранзисторы
653 _aуравнения транзистора
653 _aэлектрическое поле в полупроводниках
653 _aтриоды
653 _aэмиттеры
653 _ap-n переходы
653 _aусилители полупроводниковые
653 _aфизическая теория транзисторов
653 _aэлектронный перенос в полупроводниках
700 1 _aАдирович, Эммануил Ильич
_4ths
_9235072
710 2 _aТомский политехнический институт им. С. М. Кирова.
_967351
852 4 _aRU-ToGU
_nru
999 _c375956