000 02131nam a2200409 i 4500
001 vtls000577477
003 RU-ToGU
005 20210922072810.0
008 170614s2017 ru a f b 000 0 rus d
020 _a9785922117173
035 _ato000577477
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
080 _a537.622.4/.5-022.532
100 1 _aМорозов, Александр Игоревич
_9356869
245 1 0 _aФрустрированные магнитные наноструктуры
_cА. И. Морозов, А. С. Сигов
260 _aМосква
_bФизматлит
_c2017
300 _a140 с.
_bил.
504 _aБиблиогр.: с. 138-140
653 _aмагнитные наноструктуры
653 _aмагнитные материалы
653 _aгигантское магнетосопротивление
653 _aмагнетосопротивление туннельное
653 _aMRAM, магнеторезистивная память со случайной выборкой
653 _aфрустрации обменого взаимодействия
653 _aферромагнетик-антиферромагнетик, фрустрации
653 _aдоменные стенки
653 _aфазовые диаграммы
653 _aспин-вентильные системы
653 _aтонкие пленки ферромагнетика
653 _aантиферромагнитные подложки
653 _aферромагнетик-антиферромагнетик-ферромагнетик, структура
653 _aспин-флоп-переход поверхностный
653 _aантиферромагнетики
700 1 _aСигов, Александр Сергеевич
_d1945-
_997838
852 4 _aRU-ToGU
_h537
_iМ801
_nru
999 _c372021