| 000 | 02580nam a2200421 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000492548 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20210910131005.0 | ||
| 006 | m fo d | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 210203s1968 ru a fsbm 000 0 rus d | ||
| 035 | _ato000492548 | ||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
| 080 | _a538.911:548.312.2:539.1.043(043.3) | ||
| 100 | 1 |
_aНазина, Л. А. _9420015 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aКорреляция радиационного изменения ионной электропроводности и накопления F-центров в кристаллах NaCL и KCL, содержащих ионы Nd3+ и Ce3+ _bдиссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук _cЛ. А. Назина ; науч. рук. И. Я. Мелик-Гайказян ; Том. гос. ун-т ; Том. политех. ин-т |
| 260 |
_aТомск _b[б. и.] _c1968 |
||
| 300 |
_a176, 20 л. _bрис. |
||
| 504 | _aБиблиогр.: л. 1-20 | ||
| 506 | _aДоступ в сети ТГУ | ||
| 653 | _aдиссертации | ||
| 653 | _aкристаллы ионные | ||
| 653 | _aкристаллы щелочногалоидные | ||
| 653 | _aдефекты кристаллов щелочногалоидных собственные | ||
| 653 | _aэлектропроводность ионная | ||
| 653 | _aакцепторные свойства дефектов примесных | ||
| 653 | _aщелочногалоидные кристаллы активированные | ||
| 653 | _aдефекты кристаллов щелочногалоидных примесные | ||
| 653 | _aдефекты кристаллов щелочногалоидных радиационные | ||
| 653 | _aрадиационная физика щелочногалоидных кристаллов | ||
| 655 | 4 |
_aдиссертации _9681164 |
|
| 700 | 1 |
_aМелик-Гайказян, Ирина Яковлевна _d1922-1998 _4ths _996908 |
|
| 710 | 2 |
_aТомский государственный университет. _953646 |
|
| 710 | 2 |
_aТомский политехнический институт им. С. М. Кирова. _967351 |
|
| 852 | 4 |
_aRU-ToGU _nru |
|
| 856 | 4 | _uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000492548 | |
| 999 | _c362192 | ||