000			03297cam a2200565 c 4500
001			vtls000494755
003			RU-ToGU
005			20221219143047.0
008			141211s2011 ru a f b 000 0 rus|d
020			_a9785769211836
035			_a005080951
040			_aRuMoRKP _brus _ercr _dRuMoRGB _dRU-ToGU
041	0		_arus
080			_a621.315.61:621.382.049.77
080			_a621.315.61:537.226
245	1	0	_aСинтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах _c[В. А. Гриценко, А. П. Елисеев, М. В. Иванов и др.] ; отв. ред. А. Л. Асеев, В. А. Гриценко ; Российская акад. наук, Сибирское отд-ние, Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова [и др.]
246	1	1	_aSynthesis, properties and applications of dielectrics with high dielectric constant in silicon based devices
260			_aНовосибирск _bИзд-во Сибирского отделения Российской академии наук _c2011
300			_a157 с. _bил., табл. _c25 см
490	1		_aИнтеграционные проекты СО РАН _vвып. 31
500			_aАвт. указаны на обороте тит. л.
504			_aБиблиогр. в конце гл.
650		7	_aполупроводниковые приборы _2nlr_sh _954729
653			_aдиэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью
653			_aполупроводниковые приборы кремниевые
653			_aпрекурсоры.
653			_aэлектронные структуры
653			_aатомные структуры
653			_aвакансии кислорода
653			_aлюминесценция диэлектриков
653			_aфотолюминесценция диэлектриков
653			_aдиэлектрические пленки
653			_ahigh-k-диэлектрики
653			_aдиоксид гафния
653			_aоксид кремния
653			_aоксинитрид кремния
653			_aнестехиометрические соединения.
653			_aперенос зарядов
653			_aпроводимость диэлектриков двузонная
653			_aинжекция электронов
653			_aпроводимость полупроводников.
653			_aдиэлектрическая проницаемость, оптимизация
700	1		_aГриценко, Владимир Алексеевич _9155232
700	1		_aЕлисеев, Александр Павлович _9419901
700	1		_aИванов, М. В. _9107448
700	1		_aАсеев, Александр Леонидович _d1946- _4edt _978160
830		0	_aИнтеграционные проекты СО РАН _995002
852	4		_aRU-ToGU _h621.3 _iС387 _nru
999			_c361945