000 01753nam a2200277 c 4500
001 vtls000461835
003 RU-ToGU
005 20210910130409.0
007 cr |
008 131023s2013 ru a fsbm 000 0 rus d
035 _ato000461835
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
072 7 _a01.04.10
_2nsnr
100 1 _aЯскевич, Тамара Михайловна
_989074
245 1 0 _aФотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений
_bавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
_cЯскевич Тамара Михайловна
260 _aТомск
_b[б. и.]
_c2013
300 _a22 с.
_bил.
504 _aБиблиогр.: с. 19-22
650 7 _aфизика полупроводников
_2nsnr
_959579
655 4 _aавторефераты диссертаций
_9681163
710 2 _aТомский государственный университет
_bРадиофизический факультет
_bКафедра полупроводниковой электроники
_985922
710 2 _aСибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск)
_bЛаборатория физики полупроводников
_9264957
852 4 _aRU-ToGU
856 7 _uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000461835
999 _c340126