000			01604nam a2200313 i 4500
001			vtls000441971
003			RU-ToGU
005			20210910080136.0
008			130123s1989 ru | 001 0 rus d
020			_a5020286397
035			_ato000441971
040			_aRKP _brus _ePSBO _dRU-ToGU
041	0		_arus
080			_a661.868.33
084			_a61.31 _2rugasnti
084			_a28.3 _2rueskl
245	1	0	_aКристаллы галогенидов таллия _bполучение, свойства и применение _c[К. И. Авдиенко, В. Г. Артюшенко, А. С. Белоусов и др.] ; отв. ред. С. В. Богданов ; АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
260			_aНовосибирск _bНаука, Сибирское отделение _c1989
300			_a149,[1] с. _bил. _c22 см
500			_aАвт. указаны на обороте тит. л.
504			_aБиблиогр.: с. 138-150 (247 назв.)
653	0		_aТаллий, галогениды
700	1		_aАвдиенко, Клавдия Ильинична _9392163
700	1		_aАртюшенко, В. Г. _9392164
700	1		_aБелоусов, А. С. _9392165
700	1		_aБогданов, Сергей Васильевич _4edt _9392166
710	2		_aИнститут физики полупроводников (Новосибирск) _9392167
999			_c326765