| 000 | 02506nam a2200433 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000418111 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20210910080107.0 | ||
| 008 | 111216s1984 ru a f|b u000 0 rus d | ||
| 020 |
_aВ пер. (В пер.) _c3 р. |
||
| 035 | _a(RuMoRKP)ru85-11418 | ||
| 035 | _a(RuMoRGB)001231035 | ||
| 040 |
_aRKP _brus _ePSBO _dRU-ToGU |
||
| 041 | 0 | _arus | |
| 080 | _a537.311.322:538.9 | ||
| 084 |
_a17.4.4 _2rueskl |
||
| 100 | 1 |
_aОвсюк, Виктор Николаевич _9198644 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aЭлектронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда _cВ. Н. Овсюк ; отв. ред. А. В. Ржанов ; Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников |
| 260 |
_aНовосибирск _bНаука, Сибирское отделение _c1984 |
||
| 300 |
_a252, [1] с. _bил. _c22 см |
||
| 504 | _aБиблиогр.: с. 246-253 (157 назв.) | ||
| 653 | _aполупроводники, электронная теория | ||
| 653 | _aповерхности полупроводников | ||
| 653 | _aэлектрические заряды пространственные полупроводников | ||
| 653 | _aкинетическое уравнение для электронов в поверхностных состояниях | ||
| 653 | _aМДП-структуры | ||
| 653 | _aдиэлектрические слои | ||
| 653 | _aносители заряда неравновесные | ||
| 653 | _aимпеданс полупроводников | ||
| 653 | _aтранзисторы полевые с поверхностным каналом | ||
| 653 | _aфотопроводимость полупроводников | ||
| 653 | _aгетеропереходы полупроводниковые | ||
| 653 | _aполупроводники поликристаллические | ||
| 653 | _aграницы раздела фаз | ||
| 653 | _aэлектронные явления в гетеропереходах | ||
| 700 | 1 |
_aРжанов, Анатолий Васильевич. _4edt _9153686 |
|
| 852 | 4 |
_aRU-ToGU _h537 _iО-342 _nru |
|
| 999 | _c309111 | ||