| 000 | 01363naa a2200265 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000418787 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20210404141446.0 | ||
| 008 | 120109s2006 ru a f 100 0 rus d | ||
| 035 | _ato000418787 | ||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
| 080 | _a537.311.322:546.681'191.1 | ||
| 080 | _a621.315.592:546.681'191.1 | ||
| 245 | 1 | 0 |
_aВлияние модификации покровного слоя на свойства водородочувствительных диодных квантово-размерных гетероструктур Pd/GaAs/InGaAs _cС. В. Тихов, И. А. Карпович, Ю. Ю. Гущина, И. А. Андрюшенко |
| 504 | _aБиблиогр.: 4 назв. | ||
| 653 | _aгетероструктуры | ||
| 700 | 1 |
_aТихов, С. В. _9379137 |
|
| 700 | 1 |
_aКарпович, И. А. _9379136 |
|
| 700 | 1 |
_aГущина, Ю. Ю. _9379386 |
|
| 700 | 1 |
_aАндрющенко, И. А. _9379387 |
|
| 773 | 0 |
_tДевятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции _dТомск, 2006 _gС. 553-556 _wto000223791 |
|
| 852 | _aRU-ToGU | ||
| 908 | _aстатья | ||
| 999 | _c308686 | ||