000 01183naa a2200241 i 4500
001 vtls000418854
003 RU-ToGU
005 20210404141432.0
008 120109s2006 ru f 100 0 rus d
035 _ato000418854
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
080 _a537.311.322:546.681'191.1
080 _a621.315.592:546.681'191.1
100 1 _aТерещенко, Олег Евгеньевич
_986742
245 1 0 _aПриготовление структурно-упорядоченных поверхностей A3B5 химической обработкой и прогревом в вакууме
_cО. Е. Терещенко
504 _aБиблиогр.: 7 назв.
653 _aполупроводники
653 _aхимическая обработка
773 0 _tДевятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции
_dТомск, 2006
_gС. 129-132
_wto000223791
852 _aRU-ToGU
908 _aстатья
999 _c308585