000 | 01183naa a2200241 i 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | vtls000418854 | ||
003 | RU-ToGU | ||
005 | 20210404141432.0 | ||
008 | 120109s2006 ru f 100 0 rus d | ||
035 | _ato000418854 | ||
040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
080 | _a537.311.322:546.681'191.1 | ||
080 | _a621.315.592:546.681'191.1 | ||
100 | 1 |
_aТерещенко, Олег Евгеньевич _986742 |
|
245 | 1 | 0 |
_aПриготовление структурно-упорядоченных поверхностей A3B5 химической обработкой и прогревом в вакууме _cО. Е. Терещенко |
504 | _aБиблиогр.: 7 назв. | ||
653 | _aполупроводники | ||
653 | _aхимическая обработка | ||
773 | 0 |
_tДевятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции _dТомск, 2006 _gС. 129-132 _wto000223791 |
|
852 | _aRU-ToGU | ||
908 | _aстатья | ||
999 | _c308585 |