| 000 | 01359naa a2200277 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000418807 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20210404141400.0 | ||
| 008 | 120109s2006 ru f 100 0 rus d | ||
| 035 | _ato000418807 | ||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
| 080 | _a537.311.322:546.681'191.1 | ||
| 080 | _a621.315.592:546.681'191.1 | ||
| 245 | 1 | 0 |
_aИсследование дефектов структуры в полупроводниках A3B5 методом позитронной аннигиляционной спектроскопии _cВ. И. Графутин, О. В. Илюхина, В. В. Калугин и др. |
| 504 | _aБиблиогр.: 5 назв. | ||
| 653 | _aаннигиляция | ||
| 653 | _aполупроводники | ||
| 653 | _aмонокристаллы кремния | ||
| 700 | 1 |
_aГрафутин, В. И. _9212174 |
|
| 700 | 1 |
_aИлюхина, О. В. _9212175 |
|
| 700 | 1 |
_aКалугин, В. В. _9379179 |
|
| 773 | 0 |
_tДевятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции _dТомск, 2006 _gС. 92-95 _wto000223791 |
|
| 852 | _aRU-ToGU | ||
| 908 | _aстатья | ||
| 999 | _c308361 | ||