| 000 | 01527naa a2200289 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000418886 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20230310121756.0 | ||
| 008 | 120109s2006 ru a f 100 0 rus d | ||
| 035 | _ato000418886 | ||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
| 080 | _a537.311.322:546.681'191.1 | ||
| 080 | _a621.315.592:546.681'191.1 | ||
| 245 | 1 | 0 |
_aФотоэлектрические характеристики монокристаллов высокоомного GaAs _cД. Л. Будницкий, О. Б. Корецкая, В. А. Новиков, О. П. Толбанов |
| 504 | _aБиблиогр.: 7 назв. | ||
| 653 | _aмонокристаллы | ||
| 653 | _aфотоэлектрические характеристики | ||
| 653 | _aтруды ученых ТГУ | ||
| 700 | 1 |
_aБудницкий, Давыд Львович _983614 |
|
| 700 | 1 |
_aКорецкая, Ольга Борисовна _986741 |
|
| 700 | 1 |
_aНовиков, Вадим Александрович. _983069 |
|
| 700 | 1 |
_aТолбанов, Олег Петрович _967379 |
|
| 773 | 0 |
_tДевятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференции _dТомск, 2006 _gС. 70-73 _wto000223791 |
|
| 852 | _aRU-ToGU | ||
| 908 | _aстатья | ||
| 999 | _c308219 | ||