| 000 | 02335nam a2200457 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000417865 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20210925163915.0 | ||
| 008 | 111212s1985 ru a f b 001 0 rus d | ||
| 035 | _ato000417865 | ||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
| 080 | _a537.311.322:548.4 | ||
| 084 | _a539.219.1:538.91 | ||
| 100 | 1 |
_aБургуэн, Жак. _9180879 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aТочечные дефекты в полупроводниках _bэкспериментальные аспекты _cЖ. Бургуэн, М. Ланно ; пер. с англ. Ю. М. Гальперина [и др.] ; под ред. В. Л. Гуревича |
| 246 | 1 | 1 | _aPoint Defects in Semiconductors |
| 260 |
_aМосква _bМир _c1985 |
||
| 300 |
_a304 с. _bил. |
||
| 504 | _aБиблиогр.: с. 9, 289-297 | ||
| 504 | _aПредм. указ.: с. 298-300 | ||
| 653 | _aполупроводники | ||
| 653 | _aдефекты точечные | ||
| 653 | _aЯна-Теллера эффект | ||
| 653 | _aэлектронный парамагнитный резонанс | ||
| 653 | _aоптические свойства полупроводников | ||
| 653 | _aгенерация носителей тока | ||
| 653 | _aрегенерация носителей тока | ||
| 653 | _aэлектрические свойства полупроводников | ||
| 653 | _aфотовозбуждение полупроводников | ||
| 653 | _aвзаимодействие излучения с твердым телом | ||
| 653 | _aотжиг дефектов полупроводников | ||
| 653 | _aкристаллические решетки полупроводников | ||
| 653 | _aтуннельные состояния двухуровневые | ||
| 653 | _aпроводимость полупроводников | ||
| 653 | _aвзаимодействие дефектов полупроводников | ||
| 653 | _aпримесные центры полупроводников | ||
| 700 | 1 |
_aЛанно, Мишель. _9180878 |
|
| 700 | 1 |
_aГуревич, В. Л. _4edt _9172190 |
|
| 852 | 4 |
_aRU-ToGU _h537 _iБ912 _nru |
|
| 999 | _c307377 | ||