000 01962nam a2200421 i 4500
001 vtls000416836
003 RU-ToGU
005 20210909190628.0
008 111125s1983 ru a f b 000 0 rus d
035 _ato000416836
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
080 _a621.373.826.038.825.5.01
100 1 _aЕлисеев, Петр Георгиевич.
_9377906
245 1 0 _aВведение в физику инжекционных лазеров
_cП. Г. Елисеев
260 _aМосква
_bНаука
_c1983
300 _a294 с.
_bил.
504 _aБиблиогр.: с. 281-294
653 _aгенераторы квантовые полупроводниковые
653 _aлазеры инжекционные полупроводниковые
653 _aрезонаторы лазерные
653 _aполупроводники
653 _aоптическая модель.
653 _aизлучение в полупроводниках
653 _aизлучение вынужденное
653 _aквантово-размерные эффекты
653 _aинжекция.
653 _aнакачка лазеров электрическая
653 _aраспределение инжектированных носителей
653 _aвольт-амперные характеристики.
653 _aэффективность инжекции
653 _aсуперинжекция
653 _aавтомодуляционные явления
653 _aпороговые характеристики.
653 _aспектральные характеристики.
653 _aмощность излучения.
852 4 _aRU-ToGU
_h621.3
_iЕ515
_nru
999 _c306649