| 000 | 02218cam a2200433 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000396035 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20210922044154.0 | ||
| 008 | 101122s2008 ru a f b 000 0 rus|d | ||
| 020 | _a9785898467753 | ||
| 035 | _a004252299 | ||
| 040 |
_aRuMoRKP _brus _ercr _dRuMoRGB _dRU-ToGU |
||
| 041 | 0 | _arus | |
| 080 | _a548.0:538.91:539.124 | ||
| 080 | _a538.971:538.91 | ||
| 084 |
_aВ372.19,0 _2rubbk |
||
| 100 | 1 |
_aКощеев, Владимир Петрович _9119024 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aСтохастическая динамика эффекта каналирования в кристаллах и нанотрубках _cВ. П. Кощеев, Д. А. Моргун, Т. А. Панина ; Сургутский гос. ун-т |
| 260 |
_aХанты-Мансийск _bПолиграфист _c2008 |
||
| 300 |
_a99 с. _bил., табл. _c22 см |
||
| 504 | _aБиблиогр.: с. 97-99 | ||
| 653 | _aканалирование в нанотрубках | ||
| 653 | _aпучки заряженных частиц | ||
| 653 | _aканалирование, теория | ||
| 653 | _aионы каналированные | ||
| 653 | _aкомпьютерное моделирование | ||
| 653 | _aвзаимодействие заряженных частиц с кристаллами | ||
| 653 | _aэлектроны каналированные | ||
| 653 | _aпозитроны каналированные | ||
| 653 | _aэлектроны релятивистские, интенсивность излучения | ||
| 653 | _aPST, программа | ||
| 653 | _aSTE, программа | ||
| 653 | _aдвижение заряженных частиц в кристаллах | ||
| 653 | _aканалирование в кристаллах | ||
| 700 | 1 |
_aМоргун, Дмитрий Алексеевич _9364827 |
|
| 700 | 1 |
_aПанина, Тамара Алексеевна _9364828 |
|
| 852 | 4 |
_aRU-ToGU _h548 _iК766 _nru |
|
| 999 | _c286479 | ||