000 01937nam a2200385 i 4500
001 vtls000415592
003 RU-ToGU
005 20210922043251.0
008 111111s1979 ru a f b 000 0 rus d
035 _ato000415592
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
080 _a621.315.592:538.91
100 1 _aШарма, Б. Л.
_9361229
245 1 0 _aПолупроводниковые гетеропереходы
_cБ. Л. Шарма, Пурохит Р. К. ; пер. с англ. под ред. Ю. В. Гуляева
246 1 1 _aSemiconductor Heterojunctions
260 _aМосква
_bСоветское радио
_c1979
300 _a226, [1] с.
504 _aБиблиогр. в конце глав
653 _aгетеропереходы полупроводниковые, применение
653 _ap-n переходы
653 _aгетероструктуры полупроводниковые, получение
653 _aоптоэлектронные свойства гетероструктур
653 _aэлектрические свойства гетероструктур
653 _aпреобразователи фотовольтаические
653 _aтранзисторы
653 _aлазеры инжекционные
653 _aэнергетические зоны гетеропереходов
653 _aфотодиоды
653 _aпреобразователи инфракрасного излучения
653 _aдиоды электролюминесцентные
653 _aлитературные обзоры по гетеропереходам
700 1 _aПурохит, Р. К.
_9361230
852 4 _aRU-ToGU
_h621.3
_iШ262
_nru
999 _c281030