000			03117nam a2200481 i 4500
001			vtls000386965
003			RU-ToGU
005			20221227122316.0
008			100520s1989 ru a f bm 000 0 rus d
035			_ato000386965
040			_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU
072		7	_a01. 04. 07 _2nsnr
080			_a548.522:621.315.592(043.3)
080			_a541.124:541.123.7(043.3)
100	1		_aЭрвье, Юрий Юрьевич _982636
245	1	0	_aТеоретическое исследование кинетики послойного роста кристаллов полупроводников из многокомпонентной газовой фазы _bдиссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 _cЭрвье Юрий Юрьевич ; науч. рук.: Лаврентьева Л. Г., Рузайкин М. П. ; Сиб. физ.-тех. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева
260			_aТомск _b[б. и.] _c1989
300			_a160 л. _bил.
504			_aБиблиогр.: л. 149 - 160
650		7	_aфизика твердого тела _2nsnr _954389
653			_aдиссертации
653			_aрост кристаллов полупроводников послойный
653			_aрост кристаллов полупроводников в газовой фазе
653			_aкристаллы многокомпонентные
653			_aКосселя кристалл с примесью
653			_aкристаллы однокомпонентные
653			_aстехиометрия кристаллов
653			_aкремний, рост кристаллов
653			_aарсенид галлия, рост кристаллов
653			_aкристаллизация, кинетические коэффициенты
653			_aкристаллы бинарные, кинетика захвата примеси
653			_aпримеси в кристаллах бинарных
653			_aдефекты кристаллов
653			_aскорость роста кристаллов бинарных
653			_aлегирование кристаллов полупроводников
653			_aхимическая кинетика, формализм
653			_aмодель марковского процесса необратимого встраивания частиц в излом (рост кристаллов)
700	1		_aЛаврентьева, Людмила Германовна _d1931-2008 _4ths _963851
700	1		_aРузайкин, Михаил Петрович _4ths _982637
710	2		_aСибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) _976047
852	4		_aRU-ToGU _nru
999			_c269230