| 000 | 01427nam a2200229 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000374392 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20210922033026.0 | ||
| 008 | 091103s2009 ru a f bm 000 0 rus d | ||
| 035 | _ato000374392 | ||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU |
||
| 072 | 7 |
_a05.27.06 _2nsnr |
|
| 100 | 1 |
_aЕрмошин, Иван Геннадьевич _9341253 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aРазработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур _bавтореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.06 |
| 260 |
_aМосква _b[б. и.] _c2009 |
||
| 300 |
_a20 с. _bил. |
||
| 504 | _aБиблиогр.: с. 20 | ||
| 650 | 7 |
_aТехнология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники _2nsnr _982084 |
|
| 653 | _aавторефераты диссертаций | ||
| 852 | 4 |
_aRU-ToGU _nru |
|
| 999 | _c253001 | ||