000 01716nab a2200325 c 4500
001 vtls000477273
003 RU-ToGU
005 20210907002646.0
007 cr |
008 170612s2013 ru s c rus d
035 _ato000477273
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
100 1 _aАлексанян, А. Ю.
_9318230
245 1 0 _aПолучение диодных гетероструктур p-Si/n-ZnO и исследование их вольтамперных характеристик
_cА. Ю. Алексанян, В. А. Геворкян, М. А.Казарян
504 _aБиблиогр.: 9 назв.
653 _aвольтамперные характеристики
653 _aгетеропереходы
653 _aзоль-гель метод
653 _aоксид цинка
653 _aпиролиз
655 4 _aстатьи в журналах
_9681159
700 1 _aГеворкян, Владимир Арамович
_9318231
700 1 _aКазарян, Мишик Айразатович
_967495
710 2 _aТомский государственный университет
_bСибирский физико-технический институт
_bНаучные подразделения СФТИ
_9106941
773 0 _tАльтернативная энергетика и экология
_d2013
_g№ 6, ч. 2 (128). С. 23-27
_x1608-8298
852 4 _aRU-ToGU
856 7 _uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000477273
908 _aстатья
999 _c234597