000 02238nam a2200409 4500
001 vtls000198920
003 RU-ToGU
005 20210922010753.0
008 050519s1978 ru a f b 000 0 rus d
035 _a0204-02460
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
_ePSBO
080 _a621.315.592.002:548.55
080 _a548.55:548.51:621.315.592
100 1 _aНашельский, Александр Яковлевич.
_9214706
245 1 0 _aМонокристаллы полупроводников
_cА. Я. Нешельский
260 _aМ.
_bМеталлургия
_c1978
300 _a198, [2] с.
_bил.
504 _aБиблиогр.: с. 199
653 _aмонокристаллы полупроводников.
653 _aвыращивание монокристаллов.
653 _aфизика полупроводников.
653 _aстроение монокристаллов полупроводников.
653 _aдефекты монокристаллов полупроводников.
653 _aрост монокристаллов полупроводников.
653 _aкристаллизация монокристаллов полупроводников.
653 _aвыращивание монокристаллов полупроводников.
653 _aплавка зонная бестигельная.
653 _aкристаллизация горизонтальная направленная.
653 _aклассификация полупроводников.
653 _aмарки полупроводников.
653 _aкристаллизация расплавов.
653 _aлегирование монокристаллов полупроводников.
653 _aмонокристаллы полупроводников высокочистые.
653 _aпроизводство монокристаллов полупроводников.
852 4 _aRU-ToGU
_h1-312332к
_i621.3
_nru
999 _c200720