000			02389nam a2200493 4500
001			vtls000195283
003			RU-ToGU
005			20210922005900.0
008			050315s2004 ru a f br 001 0 rus d
020			_a5885630410
035			_a0200-34360
040			_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU _ePSBO
041	1		_arus _heng
080			_a537.311.322(035.5)
080			_a621.315.592(035.5)
245	1	0	_aЭнциклопедия технологии полупроводниковых материалов _nТ. 1 _cпод ред. К. А. Джексона и В. Шретера ; пер. с англ. под ред. Э. П. Домашевской ; ред. А. М. Ховив
246	1	1	_aHandbook of Semiconductor Technology
246	1	2	_aЭлектронная структура и свойства полупроводников
260			_aВоронеж _bВодолей _c2004
300			_aXI, 967 с. _bил.
504			_aБиблиогр. в конце глав
504			_aПредм. указ.: с. 931-967
653			_aсправочники отраслевые.
653			_aполупроводниковые материалы.
653			_aзонная теория.
653			_aполупроводники.
653			_aоптические свойства.
653			_aдефекты точечные.
653			_aповерхности раздела.
653			_aдислокации.
653			_aграницы зерен в полупроводниках.
653			_aкремний аморфный гидрогенизированный.
653			_aфизико-химические свойства.
653			_aпереходные элементы в кремнии.
653			_aвысокотемпературные свойства.
653			_aнитрид галлия.
653			_aполупроводники для солнечных элементов.
653			_aкарбид кремния.
700	1		_aДжексон, К. А. _4edt _9275889
700	1		_aШретер, Вольфганг. _4edt _9275890
700	1		_aХовив, Александр Михайлович. _4edt _9125751
852	4		_aRU-ToGU _h537(03) _iЭ687 _nru
999			_c197310