000 | 01623nam a2200313 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | vtls000194872 | ||
003 | RU-ToGU | ||
005 | 20210910121137.0 | ||
008 | 050304s2004 ru a | b 000 0 rus d | ||
035 | _a0199-92960 | ||
040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU _ePSBO |
||
080 | _a621.382.333(075.8) | ||
245 | 1 | 0 |
_aИсследование характеристик полевого транзистора с p - n переходом в качестве затвора _bметодическое пособие _cсост. В. И. Гаман ; Том. гос. ун-т, Радиофиз. фак. |
260 |
_aТомск _b[б. и.] _c2004 |
||
300 |
_a15 с. _bил. |
||
504 | _aБиблиогр.: с. 14 | ||
653 | _aучебные пособия для вузов. | ||
653 | _aтранзисторы полевые с p-n переходом. | ||
653 | _aсила тока. | ||
653 | _aнапряжение. | ||
653 | _aвольт-амперные характеристики. | ||
653 | _aсигналы переменные малой амплитуды. | ||
653 | _aчастотные свойства транзистора полевого. | ||
700 | 1 |
_aГаман, Василий Иванович _d1929-2021 _4com _968547 |
|
710 | 2 |
_aТомский государственный университет _bРадиофизический факультет. _973741 |
|
852 | 4 |
_aRU-ToGU _hВ-25863 _i621.3 _nru |
|
908 | _aучебник | ||
999 | _c197246 |