000 01623nam a2200313 4500
001 vtls000194872
003 RU-ToGU
005 20210910121137.0
008 050304s2004 ru a | b 000 0 rus d
035 _a0199-92960
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
_ePSBO
080 _a621.382.333(075.8)
245 1 0 _aИсследование характеристик полевого транзистора с p - n переходом в качестве затвора
_bметодическое пособие
_cсост. В. И. Гаман ; Том. гос. ун-т, Радиофиз. фак.
260 _aТомск
_b[б. и.]
_c2004
300 _a15 с.
_bил.
504 _aБиблиогр.: с. 14
653 _aучебные пособия для вузов.
653 _aтранзисторы полевые с p-n переходом.
653 _aсила тока.
653 _aнапряжение.
653 _aвольт-амперные характеристики.
653 _aсигналы переменные малой амплитуды.
653 _aчастотные свойства транзистора полевого.
700 1 _aГаман, Василий Иванович
_d1929-2021
_4com
_968547
710 2 _aТомский государственный университет
_bРадиофизический факультет.
_973741
852 4 _aRU-ToGU
_hВ-25863
_i621.3
_nru
908 _aучебник
999 _c197246