| 000 | 01261nam a2200253 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000162514 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20210921233144.0 | ||
| 008 | 950417s1991 __ 00| | rus d | ||
| 020 | _a5030018948 | ||
| 035 | _a0166-72260 | ||
| 035 | _a(RU-RKP)ru92-000473 | ||
| 040 |
_aRU-RKP _brus _cRU-RKP _dRU-ToGU _ePSBO |
||
| 041 | 1 |
_arus _heng |
|
| 080 | _a537.311.322:536.42 | ||
| 084 |
_a29.19 _2rugasnti |
||
| 100 | 1 |
_aШелль, Экехард. _9243678 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aСамоорганизация в полупроводниках _bНеравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами _cЭ. Шелль; Пер. с англ. под ред. Б. М. Ашкинадзе, А. В. Субашиева |
| 260 |
_aМ. _bМир _c1991 |
||
| 300 |
_a459 с. _bил. _c22 см |
||
| 504 | _aБиблиогр.: с. 7 (9 назв.), 412-457 | ||
| 650 | 7 |
_aПолупроводники - Фазовые переходы. _2RU-rurkp _9243679 |
|
| 999 | _c161611 | ||