000 | 01457nam a2200325 4500 | ||
---|---|---|---|
001 | vtls000151405 | ||
003 | RU-ToGU | ||
005 | 20210921231021.0 | ||
008 | 021028s1975 ru f i 001 0 rus d | ||
035 | _a0155-44760 | ||
040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU _ePSBO |
||
080 | _a537.311.33(01) | ||
245 | 1 | 0 |
_aРедкоземельные полупроводники: Текущая библиографическая информация _nN 2 _cСост. Е. В. Гончарова и др. ; Науч. ред. В. П. Жузе; Физ. -техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Б-ка АН СССР |
260 |
_aЛ. _bб. и. _c1975 |
||
300 | _a135, [1] с. | ||
504 | _aУказ.: с. 130-135 | ||
653 | _aэлектричество. | ||
653 | _aполупроводники. | ||
653 | _aсинтез. | ||
653 | _aдиаграммы состояния. | ||
653 | _aтермодинамические свойства. | ||
653 | _aкристаллохимия. | ||
653 | _aэлектроперенос. | ||
653 | _aтепловые свойства. | ||
653 | _aфазовые переходы. | ||
700 | 1 |
_aГончарова, Е. В. _eсост. _4com _9565526 |
|
700 | 1 |
_aЖузе, Владимир Пантелеймонович. _eред. _4edt _9565516 |
|
852 | 4 |
_aRU-ToGU _h537/538 _iР332 _nru |
|
999 | _c152866 |