000 01599nam a2200349 4500
001 vtls000151933
003 RU-ToGU
005 20210921230827.0
008 021101s1976 ru f i 001 0 rus d
035 _a0155-98460
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
_ePSBO
080 _a537.311.33(01)
245 1 0 _aРедкоземельные полупроводники: Текущая библиографическая информация
_nN 3
_cСост. Е. В. Гончарова и др. ; Науч. ред. В. П. Жузе; Физ. -техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Б-ка АН СССР
260 _aЛ.
_bб. и.
_c1976
300 _a208 с.
504 _aУказ.: с. 205-208
653 _aполупроводники.
653 _aанализ.
653 _aкристаллическая структура.
653 _aдиаграммы состояния.
653 _aтермодинамические свойства.
653 _aфизико-химические свойства.
653 _aхимическая связь.
653 _aэлектроперенос.
653 _aмагнитные свойства.
653 _aтепловые свойства.
653 _aфазовые переходы.
700 1 _aГончарова, Е. В.
_eсост.
_4com
_9565526
700 1 _aЖузе, Владимир Пантелеймонович.
_eред.
_4edt
_9565516
852 4 _aRU-ToGU
_h537/538
_iР332
_nru
999 _c152043