000 02605nab a2200373 c 4500
001 vtls000547302
003 RU-ToGU
005 20230131170049.0
007 cr |
008 170612|2015 ru s c rus d
035 _ato000547302
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
245 1 0 _aЭлектрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3
_cА. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.
504 _aБиблиогр.: 10 назв.
520 3 _aВ работе приводятся результаты исследований полной проводимости МДП-структур на основе гетероэпи-таксиального МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с диэлектрическими покрытиями SiO2-Si3N4 и Al2O3 в диапазоне частот те-стового сигнала 10 кГц - 1 МГц при температурах от 8 до 225 К. Определены основные параметры МДП-структур с различными диэлектриками.
653 _aМДП-структуры
653 _aваризонные слои
653 _aмолекулярно-лучевая эпитаксия
653 _aтеллурид кадмия-ртути
655 4 _aстатьи в журналах
_9681159
700 1 _aВойцеховский, Александр Васильевич
_964789
700 1 _aДзядух, Станислав Михайлович
_980402
700 1 _aСидоров, Георгий Юрьевич
_9135906
700 1 _aВаравин, Василий Семенович
_990984
700 1 _aДворецкий, Сергей Алексеевич
_990983
700 1 _aМихайлов, Николай Николаевич
_cфизик
_990964
700 1 _aЯкушев, Максим Витальевич
_991994
700 1 _aНесмелов, Сергей Николаевич
_965140
773 0 _tИзвестия высших учебных заведений. Физика
_d2015
_gТ. 58, № 8/3. С. 257-261
_x0021-3411
_w0026-80960
852 4 _aRU-ToGU
856 7 _uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547302
908 _aстатья
999 _c148081