000 05844nab a2200421 c 4500
001 vtls000708270
003 RU-ToGU
005 20230213234136.0
007 cr |
008 200320|2020 ru s c rus d
024 7 _a10.17223/00213411/63/2/91
_2doi
035 _ato000708270
040 _aRU-ToGU
_brus
_cRU-ToGU
245 1 0 _aНелинейные электрофизические явления в ионных диэлектриках со сложной кристаллической структурой
_cВ. А. Калытка, А. Д. Мехтиев, А. В. Баширов [и др.]
504 _aБиблиогр.: 33 назв.
506 _aОграниченный доступ
520 3 _aМетодами квазиклассической кинетической теории исследуются явления нелинейной релаксационной поляризации в ионных диэлектриках со сложной структурой кристаллической решетки (слоистые кристаллы, керамика, перовскиты, вермикулиты и др.), характеризуемые высокой ионной проводимостью. Частным случаем материалов данного класса являются протонные полупроводники и диэлектрики (слюды, тальк, пирофиллит и др.), характеризуемые в достаточно широком диапазоне параметров полей (100 кВ/м – 1000 МВ/м) и температур (1– 1500 К) высокой протонной проводимостью. На основании уравнения неразрывности тока ионов строится обобщенное кинетическое уравнение, описывающее перенос электрического заряда в ионных диэлектриках в переменном поляризующем поле, при блокирующих электродах. Нелинейность математической модели обеспечивается зависимостями коэффициентов диффузии и подвижности ионов от параметров неоднородного электрического поля в диэлектрике. Показано, что известное в кинетической теории уравнение Фоккера – Планка является «нулевым» по малому безразмерному параметру приближением от обобщенного нелинейного кинетического уравнения. Поляризация диэлектрика записана из решения уравнения Фоккера – Планка в бесконечном приближении теории возмущений (k = 1, 2, 3, …) для произвольного значения показателя кратности r по частоте переменного поля. Спектры комплексной диэлектрической проницаемости, построенные на основной частоте переменного поля (r = 1), с учетом всех последующих (начиная со второго) приближений теории возмущений (k > 1), существенно отличаются от классических законов дебаевской дисперсии (соответствующих первому приближению теории возмущений (k = 1)). Заложены теоретические основы для алгоритмов программ компьютерного прогнозирования свойств и параметров электротехнических материалов для функциональных элементов в схемах устройств микроэлектроники, изоляционной техники и энергонезависимых быстродействующих запоминающих устройств.
653 _aнелинейная релаксационная поляризация
653 _aионные диэлектрики
653 _aпротонные полупроводники
653 _aпротонные диэлектрики
653 _aквазиклассическая кинетическая теория
653 _aионная релаксация
653 _aметод последовательных приближений
653 _aкомплексная диэлектрическая проницаемость
653 _aнелинейные кинетические уравнения
655 4 _aстатьи в журналах
_9681159
700 1 _aМехтиев, Али Джаванширович
_9227076
700 1 _aБаширов, Александр Витальевич
_9227077
700 1 _aЮрченко, Алексей Васильевич
_970471
700 1 _aАлькина, Алия Даулетхановна
_9227078
700 1 _aКалытка, Валерий Александрович
_9227079
773 0 _tИзвестия высших учебных заведений. Физика
_d2020
_gТ. 63, № 2. С. 91-97
_x0021-3411
_w0026-80960
852 4 _aRU-ToGU
856 4 _uhttp://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000708270
908 _aстатья
999 _c144661