| 000 | 01658nam a2200325 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000129050 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20220425102540.0 | ||
| 008 | 020312s1972 ru a f b 000 0 rus d | ||
| 035 | _a0132-70960 | ||
| 040 |
_aRU-ToGU _brus _cRU-ToGU _ePSBO |
||
| 080 | _a537.311.322:548.4 | ||
| 100 | 1 |
_aБолтакс, Борис Иосифович. _9164826 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aДиффузия и точечные дефекты в полупроводниках _cБ. И. Болтакс ; Акад. наук СССР, Физико-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
| 260 |
_aЛенинград _bНаука, Ленинградское отделение _c1972 |
||
| 300 |
_a383, [1] с. _bил. |
||
| 504 | _aБиблиогр. в конце глав | ||
| 653 | _aдиффузия примесей в полупроводниках | ||
| 653 | _aполупроводники | ||
| 653 | _aточечные дефекты в кристаллах | ||
| 653 | _aполупроводниковые кристаллы | ||
| 653 | _aдиффузия в германии | ||
| 653 | _aдиффузия в кремнии | ||
| 653 | _aдиффузия в окислах | ||
| 653 | _aрастворимость примесей в полупроводниках | ||
| 653 | _aраспад твердых растворов пересыщенных | ||
| 653 | _aповерхности полупроводников | ||
| 852 | 4 |
_aRU-ToGU _h537 _iБ796 _nru |
|
| 999 | _c128998 | ||