000 01218nam a2200253 4500
001 vtls000122085
003 RU-ToGU
005 20210909190437.0
008 120826c19869999__ 00| | rus d
035 _a0125-68760
035 _a(RU-ToGU)ru86-052632
040 _aRKP
_brus
_cRU-ToGU
_dRU-ToGU
_ePSBO
080 _a548.4:621.373.826
084 _a29.19
_2rugasnti
245 1 0 _aЛазерные методы исследований дефектов в полупроводниках и диэлектриках
_cОтв. ред. А. А. Маненков
260 _aМ.
_bНаука
_c1986
300 _a152,[1] с.
_bил.
_c24 см
490 1 0 _aТр. ИОФАН / АН СССР, Ин-т общ. физики
_vТ. 4
504 _aБиблиогр. в конце ст.
650 7 _aПолупроводники - Дефекты - Исследование.
_2rurkp
_9208017
650 7 _aДиэлектрики - Дефекты - Исследование.
_2rurkp
_9208018
700 1 _aМаненков, А. А.
_eредактор
_4edt
_9208019
999 _c121832