Normal view
MARC view
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Дзядух Станислав Михайлович ; науч. рук. Войцеховский А. В. ; Том. гос. ун-т, Сиб. физико-технический ин-т Том. гос. ун-та
Material type: TextPublication details: Томск [б. и.] 2010Description: 241,[4] л. илSubject(s): физика полупроводников | диссертации | МДП-структуры | эпитаксия молекулярно-лучевая | МОП-структуры | гетероэпитаксиальные пленки HgCdTe | теллуриды кадмия | теллуриды ртути | варизонные структуры приповерхностные | границы раздела | диэлектрические покрытия пассивирующие | подложки арсенидгаллиевые | электрофизические характеристики HgCdTe | фотоэлектрические характеристики HgCdTeItem type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode | |
---|---|---|---|---|---|---|
Выдается в читальный зал | Научная библиотека ТГУ Книгохранилище | 1-987179к (Browse shelf(Opens below)) | Available | 13820000746648 |
Библиогр.: л. 222 - 240
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.