Normal view
MARC view
Эпитаксиальные структуры из арсенида галлия для детекторов ионизирующих излучений Д. Л. Будницкий, В. П. Гермогенов, А. А. Ларионов [и др.]
Material type: ArticleSubject(s): арсенид галлия | полупроводниковое материалы | эпитаксиальные структуры | детекторные структуры | ионизирующие излучения | труды ученых ТГУ In: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП С. 125-127No physical items for this record
Библиогр.: 1 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.