Normal view
MARC view
Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.06
Material type:
TextPublication details: Москва [б. и.] 2009Description: 20 с. илSubject(s): Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники | авторефераты диссертаций
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Научная библиотека ТГУ Книгохранилище | 1-950668к (Browse shelf(Opens below)) | Available | 13820000707502 |
Библиогр.: с. 20
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.