Results
|
201.
|
|
|
202.
|
|
|
203.
|
|
|
204.
|
|
|
205.
|
|
|
206.
|
|
|
207.
|
|
|
208.
|
|
|
209.
|
|
|
210.
|
|
|
211.
|
|
|
212.
|
|
|
213.
|
|
|
214.
|
Эрозия мишени из GaAs при воздействи импульсного мощного ионного пучка Ли Цзень Фень, Г. Е. Ремнев, М. С. Салтымаков и др. by Ли Цзень Фень | Ремнев, Геннадий Ефимович | Салтымаков, М. С | Гусельников, В. И | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Найден, Евгений Петрович, 1940-2015. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
215.
|
|
|
216.
|
Подготовка специалистов в области физики и техники полупроводников в Томском университете А. В. Войцеховский, В. И. Гаман, В. П. Гермогенов [и др.] by Войцеховский, Александр Васильевич | Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Гермогенов, Валерий Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Мокроусов, Геннадий Михайлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Химический факультет Кафедра аналитической химии. Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
217.
|
|
|
218.
|
|
|
219.
|
|
|
220.
|
|
|
221.
|
|
|
222.
|
Диффузное легирование GaAs примесью хлора С. С. Хлудков, О. Б. Корецкая, А. В. Тяжев by Хлудков, Станислав Степанович | Корецкая, Ольга Борисовна | Тяжев, Антон Владимирович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
223.
|
|
|
224.
|
|
|
225.
|
|
|
226.
|
|
|
227.
|
|
|
228.
|
Детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин [и др.] by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Гермогенов, Валерий Петрович | Гущин, Сергей Михайлович | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Шмаков, Олег Геннадьевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
229.
|
|
|
230.
|
|
|
231.
|
|
|
232.
|
|
|
233.
|
|
|
234.
|
|
|
235.
|
|
|
236.
|
|
|
237.
|
|
|
238.
|
|
|
239.
|
|
|
240.
|
|
|
241.
|
|
|
242.
|
|
|
243.
|
|
|
244.
|
|
|
245.
|
Переход от As- к Ga - стабилизированной поверхности GaAs(001), индуцированный атомарным водородом Д. А. Петухов, К. В. Торопецкий, О. Е. Терещенко, А. С. Терехов by Петухов, Д. А | Торопецкий, Константин Викторович | Терещенко, Олег Евгеньевич | Терехов, Александр Сергеевич. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
246.
|
Перспективные разработки ОАО "НИИПП" на базе арсенидогаллиевой технологии В. Г. Божков, Е. А. Монастырев, А. А. Пономарев, Э. Ф. Яук by Божков, Владимир Григорьевич | Монастырев, Е. А | Пономарев, А. А | Яук, Э. Ф. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
247.
|
|
|
248.
|
|
|
249.
|
|
|
250.
|
|