TY  - SER
AU  - Бурмистров,Евгений Романович
AU  - Авакянц,Лев Павлович
AU  - Афанасова,Марина Михайловна
TI  - Пьезоэлектрическая релаксация двумерного электронного газа в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaN/GaN
KW  - квантовые ямы
KW  - механические напряжения
KW  - гетероструктура
KW  - транспортное время
KW  - двумерный электронный газ
KW  - рассеяние
KW  - статьи в журналах
N1  - Библиогр.: 15 назв
N2  - Исследован механизм пьезоэлектрического рассеяния носителей заряда в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с одной заполненной подзоной размерного квантования. Создана математическая модель, с помощью которой можно оценить кинетические параметры двумерного электронного газа в изучаемой структуре. Результаты проведенного расчета матричных потенциалов рассеяния продемонстрировали достоверность и состоятельность на используемой модели промышленных светодиодных гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN. Показано, что механические напряжения в слоях InGaN/GaN приводят к неравномерному распределению суммарного электрического поля вдоль активного слоя. Установлено, что время релаксации, ограничивающее подвижность двумерного электронного газа при пьезоэлектрическом рассеянии, ~ 10–9 с
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000720812
ER  -