TY  - SER
AU  - Романов,Иван Сергеевич
AU  - Прудаев,Илья Анатольевич
AU  - Копьев,Виктор Васильевич
TI  - Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN
KW  - нитриды галлия
KW  - нитриды индия
KW  - квантовые ямы
KW  - внутренняя квантовая эффективность
KW  - фотолюминесценция
KW  - туннелирование
KW  - Оже-рекомбинация
KW  - статьи в журналах
N1  - Библиогр.: 11 назв; Ограниченный доступ
N2  - Представлены результаты исследования влияния толщины барьерных слоев GaN в активной области светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN на внутреннюю квантовую эффективность (Internal Quantum Efficiency, IQE) фотолюминесценции. Показано, что уменьшение толщины барьерных слоев GaN от 15 до 3 нм приводит к увеличению максимального значения IQE и сдвигу максимума в область б о льших мощностей накачки. Полученный результат объясняется с учетом уменьшения темпа оже-рекомбинации вследствие более равномерного распределения носителей заряда по активной области структур с толщиной барьеров 3 нм
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000668175
ER  -