TY  - SER
AU  - Войцеховский,Александр Васильевич
AU  - Несмелов,Сергей Николаевич
AU  - Дзядух,Станислав Михайлович
TI  - Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4
KW  - МДП-структуры
KW  - молекулярно-лучевая эпитаксия
KW  - теллурид кадмия-ртути
KW  - варизонные слои
KW  - вольт-фарадные характеристики
KW  - статьи в журналах
N1  - Библиогр.: 25 назв
N2  - Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 при изменении направления развертки напряжения. Выявлены особенности ВФХ при прямой и обратной развертке напряжения для МДП-структур на основе n-HgCdTe и p-HgCdTe. Полученные результаты свидетельствуют о важной роли в гистерезисных явлениях захвата электронов на состояния переходного слоя между полупроводником HgCdTe и диэлектриком SiO2. Установлено, что при нанесении диэлектрика вблизи границы раздела образуются примесно-дефектные центры донорного типа, плотность состояний которых в переходном слое составляет (0.6–2.1)·1011 см–2
UR  - http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000547575
ER  -