Image from Google Jackets
Normal view
MARC view
Быстродействие транспортного соединения в условиях соперничества за полосу пропускания П. Х. К. Карим, П. А. Михеев, П. В. Приступа, С. П. Сущенко
Contributor(s): Карим, Пешанг Хасан Карим | Михеев, Павел Андреевич | Приступа, Павел Викторович | Сущенко, Сергей ПетровичMaterial type: ArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: Performance of a transport connection in conditions of competition for bandwidth [Parallel title]Subject(s): компьютерные сети | абонентские потоки | сети массового обслуживания | транспортные соединения | полосы пропусканияGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online In: Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Четырнадцатой международной конференции, 19-24 сентября 2022 г С. 52-53No physical items for this record
Библиогр.: 2 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.
-
1
Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr
by Прудаев, Илья Анатольевич -
2
Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом
by Хлудков, Станислав Степанович -
3
Исследование арсенида галлия с примесью марганца как материала для фоторезисторных приемников
-
4
Электрические свойства GaAs, легированного железом
-
5
Распад пересыщенного твердого раствора железа в GaAs
-
6
Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGan/Gan
-
7
Фотоэлектрические характеристики структур из GaAs, легированного Fe и Cr, в УФ-области спектра
-
8
Диффузное легирование GaAs примесью хлора
by Хлудков, Станислав Степанович -
9
Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs
-
10
Физика сложных полупроводников и полупроводниковых структур
-
11
Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
-
12
Исследование свойств арсенида галлия с примесью марганца
-
13
Диффузия примесей в арсениде галлия, диффузные структуры и приборы
by Хлудков, Станислав Степанович -
14
Диффузионные структуры и приборы на основе GaAs, легированного примесями переходных элементов группы железа
by Хлудков, Станислав Степанович -
15
Детекторы заряженных частиц на основе радиационно-модифицированного полуизолирующего арсениде галлия
-
16
Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия
-
17
О практическом применении арсенида галлия, легированного переходными металлами
by Хлудков, Станислав Степанович -
18
Физические свойства нитрида индия, примеси и дефекты
by Хлудков, Станислав Степанович -
19
Перераспределение точечных дефектов при диффузии цинка в арсенид галлия
-
20
Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами
-
21
Получение и исследование нитрида индия, обладающего ферромагнитными свойствами
by Хлудков, Станислав Степанович -
22
Применение GaAs, легированного примесями переходных металлов, в электронике
by Хлудков, Станислав Степанович -
23
Структуры на основе GaAs, компенсированного глубокими центрами
by Толбанов, Олег Петрович -
24
Влияние проводимости базы на ВАХ диодных структур, сформированных диффузией Fe или Cr B GaAs
by Будницкий, Давыд Львович -
25
Становление и развитие лаборатории физики полупроводников
by Хлудков, Станислав Степанович -
26
Диффузия примесей и диффузионные электронно-дырочные переходы в арсениде галлия
by Хлудков, Станислав Степанович -
27
Диффузия хрома в GaAs при низком давлении паров мышьяка
-
28
Нитрид галлия в качестве материала для спинтроники
by Хлудков, Станислав Степанович -
29
Нитрид алюминия, легированный переходными металлами, в качестве материала для спинтроники
-
30
Арсенид галлия, легированный примесями с глубокими энергетическими уровнями, структура и приборы на его основе
by Хлудков, Станислав Степанович -
31
Получение и свойства ферромагнитного нитрида алюминия, легированного немагнитными примесями
-
32
Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1