Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин, науч. ред. И. В. Ивонин ; Нац. исслед. Томский гос. ун-т
Material type: TextPublication details: Томск Издательство Томского государственного университета 2022Description: 246, [1] с. илContent type: Текст Media type: электронный ISBN: 9785907572058Subject(s): арсенид галлия | диффузия примесей | диффузия собственных точечных дефектовGenre/Form: монографии Online resources: Click here to access online Abstract: В монографии систематизированы наиболее важные, по нашему мнению, данные, касающиеся процесса диффузии в арсениде галлия собственных точечных дефектов, донорных, акцепторных примесей, примесей с глубокими энергетическими уровнями, образованию дислокаций в процессе диффузии примесей. Обсуждены механизмы диффузионных процессов. Для широкого круга специалистов – научных сотрудников, инженеров, преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в области физики и технологии полупроводниковых материалов и микроэлектроники.Посвящается 70-летию радиофизического факультета Томского государственного университета
Библиогр. в конце глав
В монографии систематизированы наиболее важные, по нашему мнению, данные, касающиеся процесса диффузии в арсениде галлия собственных точечных дефектов, донорных, акцепторных примесей, примесей с глубокими энергетическими уровнями, образованию дислокаций в процессе диффузии примесей. Обсуждены механизмы диффузионных процессов. Для широкого круга специалистов – научных сотрудников, инженеров, преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в области физики и технологии полупроводниковых материалов и микроэлектроники.
There are no comments on this title.