Normal view
MARC view
Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.04.
Material type:
TextPublication details: Рязань 2000Description: 19 сSubject(s): физическая электроника | авторефераты диссертаций
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Научная библиотека ТГУ Книгохранилище | 1-879674к 53 (Browse shelf(Opens below)) | 1 | Available | 13820000246743 |
Библиогр.: с.18-19
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.