Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Image from Google Jackets
Normal view MARC view

Теоретическая и реальная прочность кристаллов: физические причины расхождения Ю. А. Хон

By: Хон, Юрий Андреевич, 1945-Material type: ArticleArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): кристаллы | деформация | теоретическая прочность | дефекты | адиабатическое приближение | неадиабатическая динамика атомов | динамическая неустойчивость | структурная релаксацияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online In: Известия высших учебных заведений. Физика Т. 65, № 8. С. 76-80Abstract: В рамках существующих теорий зарождение пластического сдвига и зародышевых трещин в совершенных кристаллах возможно лишь при деформирующем напряжении, близком к теоретической прочности. В работе показано, что совершенный кристалл, рассматриваемый как открытая система ядер и электронов, теряет свою устойчивость при величине приложенных напряжений, на порядки меньших теоретической прочности. При этом привлекать представления о наличии в объеме и в поверхностном слое кристалла дефектов различного типа не требуется. Причиной неустойчивости является возбуждение динамических смещений, определяемых неадиабатическими переходами атомов Ландау – Зинера между пересекающимися поверхностями потенциальных энергий в открытых неравновесных системах. Дано качественное объяснение наблюдаемым экспериментально результатам.
Tags from this library: No tags from this library for this title. Log in to add tags.
No physical items for this record

Библиогр.: 25 назв.

Ограниченный доступ

В рамках существующих теорий зарождение пластического сдвига и зародышевых трещин в совершенных кристаллах возможно лишь при деформирующем напряжении, близком к теоретической прочности. В работе показано, что совершенный кристалл, рассматриваемый как открытая система ядер и электронов, теряет свою устойчивость при величине приложенных напряжений, на порядки меньших теоретической прочности. При этом привлекать представления о наличии в объеме и в поверхностном слое кристалла дефектов различного типа не требуется. Причиной неустойчивости является возбуждение динамических смещений, определяемых неадиабатическими переходами атомов Ландау – Зинера между пересекающимися поверхностями потенциальных энергий в открытых неравновесных системах. Дано качественное объяснение наблюдаемым экспериментально результатам.

There are no comments on this title.

to post a comment.