Физика полупроводников Электронный ресурс Шалимова К. В.
Material type:
TextPublication details: Санкт-Петербург Лань 2021Description: 384 сSubject(s): высшее образование | полупроводники | физика полупроводников | учебники | учебные издания | атом | бриллюэн | бриллюэна зоны | ганна | ганна эффект | генерация | гетеропереход | дембера эффект | диод | диод туннельный | диффузия | диффузия (исследования) | дрейф | дырка | заряд | зонная | зонная теория полупроводников | излучение | ионизация | ионизация ударная | квазиимпульс | колебание | колебания атомов кристаллической решетки | контакт | кристаллическая | люминесценция | люминесценция полупроводников | носитель | отражение | поглощение | полупроводник некристаллический | полупроводниковая электроника | примесные | примесный | рассеяние электронов | резонанс | резонанс циклотронный | рекомбинация | рекомбинация электронов | релаксация | решетка | решетки кристаллические (физика) | спектр | теория | теория колебаний | теория электропроводности | теплоемкость кристаллической решетки | ток | туннельный | ударная | ударная ионизация | уровень | учебник и пособие | физика полупроводников (основы) | фонон | фотопроводимость | фотоэлектроника | фотоэффект | холла | холла эффект | циклотронный | шоттки | шредингера | шредингера уравнение | экситонный | электрон | электроны | электропроводность | электропроводность (измерения) | электропроводность полупроводников | эффект | эффект магниторезистивный | эффект туннельныйOther classification: 22.379я73 Online resources: ЭБС Лань | ЭБС Лань Summary: В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства. Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.
В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства. Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.
There are no comments on this title.