Normal view
MARC view
Арсенид галлия, легированный примесями с глубокими энергетическими уровнями, структура и приборы на его основе С. С. Хлудков
Material type: ArticleSubject(s): сложные полупроводники | полупроводниковые наноструктуры | арсенид галлия | арсенидгаллиевые приборные структуры | легирование | экспериментальные исследования | труды ученых ТГУ In: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ 29 сентября - 4 октября 2003 г. С. 112-115No physical items for this record
Библиогр.: 17 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.