Normal view
MARC view
Контроль полярности пленок GaN при росте методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на АL2O3(0001) В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, М. А. Путято [и др.]
Material type: ArticleSubject(s): сложные полупроводники | полупроводниковые наноструктуры | нитрид галлия | полярность пленок нитрида галлия | молекулярно-лучевая эпитаксия | экспериментальные исследования | труды ученых ТГУ In: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ 29 сентября - 4 октября 2003 г. С. 87-90No physical items for this record
Библиогр.: 2 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.