Normal view
MARC view
Электронные свойства легированных полупроводников Б. И. Шкловский, А. Л. Эфрос
Material type:
TextSeries: Физика полупроводников и полупроводниковых приборовPublication details: Москва Наука 1979Description: 416 с. илSubject(s): полупроводники легированные | электропроводность прыжковая | примесные зоны полупроводников | деформации кристаллов | магнитное поле | энергия активации | Мотта закон | полупроводники компенсированные | электронные свойства полупроводников | теория протекания (физика полупроводников) | полупроводники легированные
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Научная библиотека ТГУ Книгохранилище | 1-343816к (Browse shelf(Opens below)) | Available | 13820000589908 | |||
| 1 месяц | Научная библиотека ТГУ Книгохранилище | 1-357655 (Browse shelf(Opens below)) | Available | 13820000605711 | |||
| 1 месяц | Научная библиотека ТГУ Книгохранилище | 1-338504 (Browse shelf(Opens below)) | 2 | Available | 13820000206415 |
Библиогр.: 396-413
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.