Normal view
MARC view
Особенности фотоотражения в тонких пленках n-GaAs Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, И. П. Казаков, А. В. Червяков
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | арсенид галлия | полупроводниковые структуры | тонкие пленки | спектроскопия фотоотражения | фотоотражение | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 214-216No physical items for this record
Библиогр.: 1 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.