Normal view
MARC view
Влияние начальных условий роста на полярность слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3(0001) В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, М. А. Путято [и др.]
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | эпитаксиальные слои | полярность | молекулярно-лучевая эпитаксия | нитрид галлия | сапфир | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы | труды ученых ТГУ In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 199-201No physical items for this record
Библиогр.: 3 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.