Normal view
MARC view
Исследование конденсации аморфного мышьяка на атомарно-чистой поверхности GaAs (100) (4x2)/(8x2) методом in situ эллипсометрии А. В. Васев, С. И. Чикичев
Material type: ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | арсенид галлия | мышьяк | атомарно-чистая поверхность | эллипсометрия | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 196-198No physical items for this record
Библиогр.: 3 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.