Normal view
MARC view
Туннельный ток в двухбарьерных гетероструктурах GaN/AlxGa1-x N(0001) и GaAs/AlxGa1-x As(001) А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев
Material type: ArticleSubject(s): туннелирование | полупроводниковое материалы | арсенид галлия | арсенид алюминия | наноструктуры | гетероструктуры | труды ученых ТГУ In: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 124-126No physical items for this record
Библиогр.: 3 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.