Normal view
MARC view
Влияние легирования кремнием на структурное совершенство монокристаллов GaAs, выращенных методом Чохральского из-под слоя флюса B2O3 В. Т. Бублик, С. Ю. Мацнев, К. Д. Щербачев [и др.]
Material type:
ArticleSubject(s): арсенид галлия | монокристаллы | микродефекты | кремний | Чохральского метод | кристаллы
In:
Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 64-66
No physical items for this record
Библиогр: 8 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.