Normal view
MARC view
Детекторы ядерных излучений на основе эпитаксиальных слоев AlGaAs Г. И. Айзенштат, С. М. Гущин, Л. П. Пороховниченко [и др.]
Material type: ArticleSubject(s): арсенид галлия | полупроводниковое материалы | эпитаксиальные слои | детекторы ионизирующих излучений | труды ученых ТГУ In: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП С. 153-155No physical items for this record
Библиогр.: 1 назв.
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.