Normal view
MARC view
Особенности легирования и комплексообразования при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, Л. Г. Лаврентьева [и др.]
Material type: ArticleSubject(s): арсенид галлия | полупроводниковое материалы | кремний | молекулярно-лучевая эпитаксия | дефекты | труды ученых ТГУ In: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП С. 101-102No physical items for this record
There are no comments on this title.
Log in to your account to post a comment.